Tranzystory MOSFET 25/30V@20 A do układów zasilania o dużej gęstości mocy
Oferta firmy International Rectifier powiększyła się o trzy nowe tranzystory MOSFET dużej mocy o oznaczeniach IRFHM830, IRFHM830D i IRFHM831, dostępne w miniaturowych obudowach PQFN do montażu powierzchniowego. Wymiary obudowy to 3 mm×3 mm a jej grubość nie przekracza 1 mm.
Tranzystory zostały zaprojektowane specjalnie do zastosowania w układach zasilających o dużej gęstości mocy. Wszystkie charakteryzują się napięciem przebicia (BVDSS) równym 30 V i dopuszczalnym napięciem bramka-źródło ±20 V. Dzięki bardzo małej rezystancji przewodzenia RDS(on) na poziomie pojedynczych m<W>, mogą przewodzić duże prądy ciągłe, których natężenie przy zapewnieniu skutecznego rozpraszania ciepła sięga nawet 40 A. Obok małej rezystancji RDS(on), drugą ważną zaletą tranzystorów z serii IRFHM83x jest mały ładunek bramki Qg (7…15 nC) ograniczający straty przy pracy impulsowej z dużymi częstotliwościami przełączania.
Więcej informacji: http://www.irf.com
