Tranzystory MOSFET-N do rozładowywania kondensatorów

Firma Diodes wprowadziła do oferty 30-woltowy tranzystor MOSFET-N typu DMN3027LFG. Jest on przeznaczony do szybkiego, bezpiecznego rozładowywania kondensatorów o dużej pojemności stosowanych na szynach zasilania układów FPGA. Nowoczesne FPGA stosowane w sprzęcie telekomunikacyjnym, serwerach i centrach danych mają wiele szyn zasilających, które muszą być załączane i wyłączane w określonej kolejności, aby zapewnić bezpieczny start lub wyłączenie systemu. Dzięki nowemu tranzystorowi konstruktorzy opracowujący układy zasilania do takich systemów mogą łatwo wykonać sekwencer zasilania.

Tranzystor DMN3027 ma rezystancję RDS(on) wynoszącą 26 mOhm przy napięciu 4,5V, co umożliwia rozładowanie pojemności 15mF w czasie poniżej 10ms. Jednocześnie ta rezystancja nie jest na tyle mała, aby gwałtowny impuls prądowy spowodował problemy z zaburzeniami EMI skutkującymi stresem termicznym lub grożącym potencjalnym uszkodzeniem tranzystorów MOSFET lub banku kondensatorów. Typowo, napięcie występujące na szynie zasilania FPGA wynosi ok. 1V. Prąd rozładowania jest ograniczany przez rezystancję kanału tranzystora MOS, jak podano w obszarze pracy bezpiecznej SOA na charakterystyce tranzystora. Obszar ten zdefiniowano w temperaturze otoczenia 60°C z minimalnym rozpraszaniem ciepła tj. w warunkach, które typowo występują w większości aplikacji. Parametry tranzystora pozwalają na bezpieczne przewodzenie prądu o natężeniu szczytowym 20A w czasie ok. 10ms.
Tranzystor DMN3027LFG jest oferowany w obudowie PowerDI®3333 o małej rezystancji termicznej złącze – wyprowadzenia. Wynosi ona poniżej 10K/W, co pozwala na rozpraszanie mocy strat do 3W.

http://www.diodes.com/downloads/9253%250D%250A&usg=AFQjCNHRW-zJ8hiokAhPgU1xiSEmDn24yw&sig2=37yTsMiRmoSwXDnxic0UQw&cad=rja